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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
125 A
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
EconoPACKTM 2 est utilisé
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1.95V @ 15V, 100A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
650 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
20 mW
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
6.2 nF @ 25 V
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
Le numéro de série est le numéro de série.
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le modèle IGBT MOD 650V 125A 20MW
Description de produit
Module IGBT Arrêt de champ de tranchée Inverteur triphasé 650 V 125 A 20 mW Module monté sur châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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