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FF900R12ME7B11NPSA1
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FF900R12ME7B11NPSA1

FF900R12ME7B11NPSA1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
900 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
Les résultats de l'étude
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1.8V @ 15V, 900A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100 µA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
20 mW
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
122 nF @ 25 V
Configuration:
2 indépendant
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
FF900R12
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le secteur de l'électricité
Description de produit
Module IGBT Arrêt de champ de tranchée 2 indépendant 1200 V 900 A 20 mW Monture de châssis AG-ECONOD-3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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