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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
130 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
3.7V @ 15V, 100A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 125°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
5 mA
Type d'IGBT:
-
Puissance - maximum:
660 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
6.8 nF @ 25 V
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
Le numéro de série est le suivant:
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le modèle IGBT MOD 1200V 130A 660W
Description de produit
Module IGBT Trois-phase Inverseur 1200 V 130 A 660 W Module monté sur châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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