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A2P75S12M3
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A2P75S12M3

A2P75S12M3

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
75 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.3V @ 15V, 75A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
ACEPACKTM 2
Mfr:
STMicroélectronique
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100 µA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
454.5 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
4.7 nF @ 25 V
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
A2P75
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système d'aiguillage doit être équipé d'un système de réglage de la tension de l'appareil.
Description de produit
Module IGBT Arrêt de champ de tranchée Inverteur triphasé 1200 V 75 A 454,5 W Monture de châssis ACEPACKTM 2

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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