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FS660R08A6P2FBBPSA1
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FS660R08A6P2FBBPSA1

FS660R08A6P2FBBPSA1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
450 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
HybridPACK™
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1.35V @ 15V, 450A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
750 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
AG-HYBRID-1 est un produit de la catégorie AG-HYBRID-1
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
W 1053
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
80 N-F @ 50 V
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation.
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de conduite hybride
Description de produit
Module IGBT, arrêt de champ de tranchée, onduleur à trois phases 750 V 450 A 1053 W, monture de châssis AG-HYBRIDD-1

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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