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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
90 A
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
Le système de gestion des risques
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.15V @ 15V, 50A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
250 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
100 pF @ 25 V
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
Le numéro de série de la commande
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le modèle IGBT MOD 1200V 90A 250W
Description de produit
Module IGBT Arrêt de champ de tranchée Inverteur triphasé 1200 V 90 A 250 W Module monté sur châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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