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NXH35C120L2C2ESG
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NXH35C120L2C2ESG

NXH35C120L2C2ESG

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
35 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
tube
Série:
-
Emballage / boîtier:
module 26-PowerDIP (1,199", 47.20mm)
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.4V @ 15V, 35A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
26-DIP
Mfr:
un demi
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
µA 250
Type d'IGBT:
-
Puissance - maximum:
20 mW
Résultats de l'analyse:
pont redresseur triphasé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
8.333 nF @ 20 V
Configuration:
Inverseur triphasé avec le frein
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
NXH35
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système d'exploitation doit être équipé d'un système d'exploitation électrique.
Description de produit
Module IGBT Inverseur triphasé avec freinage 1200 V 35 A 20 mW à travers trou 26-DIP

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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