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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
3 mA
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
Les résultats de l'étude
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.1V @ 15V, 600A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C
Puissance - maximum:
4050 W
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Emballage / boîtier:
Module
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
37 N-F @ 25 V
Configuration:
2 indépendant
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
FF600R12
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le module IGBT 1200V 4050W
Description de produit
Module IGBT arrêt de champ de tranchée 2 indépendant 1200 V 4050 W module monté sur châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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