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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
150 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.15V @ 15V, 150A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
790 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
9.3 nF @ 25 V
Configuration:
Helicoptère unique
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
Pour les appareils à commande numérique
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le modèle IGBT MOD 1200V 150A 790W
Description de produit
Module IGBT, arrêt de champ de tranchée, hélicoptère unique 1200 V 150 A 790 W, module de montage du châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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