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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
300 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
Les résultats de l'étude
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.1V @ 15V, 300A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
20 mW
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
19 nF @ 25 V
Configuration:
demi pont
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
F3L300
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le modèle IGBT MOD 1200V 300A 20MW
Description de produit
Module IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 300 A 20 mW Module monté sur le châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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