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FS100R12W2T7BOMA1
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FS100R12W2T7BOMA1

FS100R12W2T7BOMA1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
70 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
EasyPACK™
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
-
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'heures de travail
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
µA 9
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
20 mW
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
21.7 nF @ 25 V
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
Le numéro de série est le suivant:
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
La puissance de l'appareil doit être inférieure ou égale à la puissance de la batterie.
Description de produit
Module IGBT arrêt de champ de tranchée trois phases Inverseur 1200 V 70 A 20 mW Monture de châssis AG-EASY2B

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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