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FP200R12N3T7B11BPSA1
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FP200R12N3T7B11BPSA1

FP200R12N3T7B11BPSA1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
200 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
Les résultats de l'enquête
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1.55V @ 15V, 200A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
AG-ECONO3
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
µA 20
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
20 mW
Résultats de l'analyse:
pont redresseur triphasé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
40.3 nF @ 25 V
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Économie à faible consommation
Description de produit
Module IGBT arrêt de champ de tranchée Inverteur triphasé 1200 V 200 A 20 mW Monture de châssis AG-ECONO3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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