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Le produit doit être présenté à l'organisme d'essai.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
225 A
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
c
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.15V @ 15V, 150A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 125°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
5 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
780 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
11 nF @ 25 V
Configuration:
Helicoptère unique
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
FF150R12K
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système d'aiguillage doit être équipé d'un système de freinage de freinage de freinage.
Description de produit
Module IGBT, arrêt de champ de tranchée, hélicoptère unique 1200 V 225 A 780 W, module monté sur châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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