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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
610 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module D-3
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.2V @ 15V, 400A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D3
Mfr:
Technologie des puces
Température de fonctionnement:
-40°C | 175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
5 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
2080 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
24.6 nF @ 25 V
Configuration:
demi pont
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
Le nombre d'heures de travail
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil,
Description de produit
Module IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 610 A 2080 W Monture du châssis D3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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