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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
75 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
tube
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module 12-MTP
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.65V @ 15V, 40A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
12 MTP
Mfr:
Général semi-conducteur - Division de Vishay de diodes
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
50µA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
305 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
3.2 nF @ 25 V
Configuration:
demi pont
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
MTP - IGBT à demi-pont
Description de produit
Module IGBT Fermeture de champ de tranchée demi-pont 1200 V 75 A 305 W à travers le trou 12-MTP

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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