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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
A 1060
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
Les résultats de l'étude
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.1V @ 15V, 600A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
3 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
4050 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
37 N-F @ 25 V
Configuration:
2 indépendant
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
FF600R12
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de régulation de l'émission de chaleur doit être équipé d'un système de régulation de l'é
Description de produit
Module IGBT Arête de champ de tranchée 2 indépendant 1200 V 1060 A 4050 W Module monté sur châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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