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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
65 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1.9V @ 15V, 50A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
600 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
175 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
3.1 nF @ 25 V
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
Le numéro de série FP50
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le module IGBT 600V 65A 175W est utilisé.
Description de produit
Module IGBT arrêt de champ de tranchée Inverseur à trois phases 600 V 65 A 175 W Module monté sur châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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