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PDTC144VS,126
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PDTC144VS,126

PDTC144VS,126

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Bande et boîte (TB)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
150 mV @ 500 μA, 10 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Résistance - base (R1):
47 kOhms
Mfr:
NXP USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1µA
Puissance - maximum:
500 mW
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
40 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le PDTC144
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias NPN 500 MW TO92-3
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 500 mW à travers le trou TO-92-3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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