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DTC115EEBTL
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DTC115EEBTL

DTC115EEBTL

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
EMT3F (SOT-416FL)
Résistance - base (R1):
100 kOhms
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Résistance - base d'émetteur (R2):
100 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
150 mW
Emballage / boîtier:
SC-89, SOT-490
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
82 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
DTC115
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où les données sont utilisées.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface EMT3F (SOT-416FL)

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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