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Le PDTC123ETVL
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Le PDTC123ETVL

Le PDTC123ETVL

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
150 mV @ 500 μA, 10 mA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-236AB
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
2,2 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1µA
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
30 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le PDTC123
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Montage de surface pré-biasé de 100 mA TO-236AB

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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