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RN1132MFV,L3F, qui ne sont pas couverts par la directive
  • RN1132MFV,L3F, qui ne sont pas couverts par la directive

RN1132MFV,L3F, qui ne sont pas couverts par la directive

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
Pour les appareils de traitement des ondes électriques
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
VESM
Résistance - base (R1):
200 kOhms
Mfr:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance - maximum:
150 mW
Emballage / boîtier:
SOT-723
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
120 @ 1mA, 5V
Numéro du produit de base:
RN1132: les produits de base
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de régulation de la fréquence de l'électricité doit être conforme à la norme ISO/IEC 1701
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - VESM de montage de surface pré-biasé 50 V 100 mA 150 mW

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