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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
600 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
1.15V @ 8mA, 800mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
40 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-236AB
Résistance - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
250mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
500 @ 600mA, 5V
Numéro du produit de base:
PBRN113
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Monture de surface pré-biasée 40 V 600 mA 250 mW TO-236AB

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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