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DRA2543E0L
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DRA2543E0L

DRA2543E0L

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
500 mA
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
250 mV @ 5 mA, 100 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Mini3-G3-B
Résistance - base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Composants électroniques de Panasonic
Résistance - base d'émetteur (R2):
4,7 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1µA
Puissance - maximum:
200 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
50 @ 100mA, 10V
Numéro du produit de base:
DRA2543
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
TRANSPORT PREBIAS PNP 200MW MINI3
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Monture de surface pré-biasée 50 V 500 mA 200 mW MINI3-G3-B

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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