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RN2108MFV,L3F Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention en cas d'urgence.
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RN2108MFV,L3F Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention en cas d'urgence.

RN2108MFV,L3F Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention en cas d'urgence.

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
VESM
Résistance - base (R1):
22 kOhms
Mfr:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
150 mW
Emballage / boîtier:
SOT-723
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
80 @ 10 mA, 5 V
Numéro du produit de base:
RN2108
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de régulation de l'énergie électrique
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - VESM de montage de surface pré-biasé 50 V 100 mA 150 mW

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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