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PDTB113ZT,215
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PDTB113ZT,215

PDTB113ZT,215

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
500 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-236AB
Résistance - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance - maximum:
250mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le PDTB113
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de régulation de l'énergie doit être conforme à la norme ISO 230-2.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Monture de surface pré-biasée 50 V 500 mA 250 mW TO-236AB

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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