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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Le nombre de points de contrôle
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
Pour les appareils de traitement des ondes électriques
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
UMT3F
Résistance - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
200 mW
Emballage / boîtier:
SC-85
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
30 @ 5mA, 10V
Numéro du produit de base:
DTA013
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OCDE.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface UMT3F

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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