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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
500 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition:
225 mégahertz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
100 mV @ 2,5 mA, 50 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-236AB
Résistance - base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
4,7 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
320 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
60 @ 50mA, 5V
Numéro du produit de base:
PDTD143
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 500 mA 225 MHz 320 mW Monture de surface TO-236AB

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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