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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
80 mA
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
Pour les appareils de traitement des ondes électriques
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SSMini3-F3-B
Résistance - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Composants électroniques de Panasonic
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
125 mW
Emballage / boîtier:
SC-89, SOT-490
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Numéro du produit de base:
DRA9A
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de la Commission.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 80 mA 125 mW Monture de surface SSMini3-F3-B

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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