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RN1442ATE85LF, qui ne peut être utilisé
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RN1442ATE85LF, qui ne peut être utilisé

RN1442ATE85LF, qui ne peut être utilisé

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
300 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - transition:
30 mégahertz
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
100 mV @ 3 mA, 30 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
20 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
S-mini
Résistance - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance - maximum:
200 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
200 @ 4mA, 2V
Numéro du produit de base:
RN1442
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias NPN 20V 0,3A SMINI
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - pré-biasé 20 V 300 mA 30 MHz 200 mW Monture de surface S-Mini

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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