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PDTA115EMB,315
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PDTA115EMB,315

PDTA115EMB,315

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
20 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
180 mégahertz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
150 mV @ 250 μA, 5 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
DFN1006B-3
Résistance - base (R1):
100 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
100 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1µA
Puissance - maximum:
250mW
Emballage / boîtier:
Le numéro de référence est le numéro de référence.
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le PDTA115
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 20 mA 180 MHz 250 mW Monture de surface DFN1006B-3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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