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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - transition:
250 MHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
Pour les appareils de traitement des ondes électriques
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SC-59-3
Résistance - base (R1):
200 kOhms
Mfr:
Diodes incorporées
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
Pour les appareils à commande numérique:
Puissance - maximum:
200 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Numéro du produit de base:
DDTA125
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias PNP 200 MW SC59-3
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface SC-59-3

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