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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition:
230 mégahertz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
Pour les appareils de type à commande numérique:
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-236AB
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1µA
Puissance - maximum:
250mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
100 @ 10 mA, 5 V
Numéro du produit de base:
Le PDTC123
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Monture de surface TO-236AB

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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