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le PDTC123EK,115
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le PDTC123EK,115

le PDTC123EK,115

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
150 mV @ 500 μA, 10 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les données de base sont fournies par les autorités compétentes.
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
NXP USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
2,2 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1µA
Puissance - maximum:
250mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
30 @ 20mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le PDTC123
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le tableau ci-dessous:
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Montage de surface pré-biasé 50 V 100 mA 250 mW SMT3; MPAK

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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