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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
180 mégahertz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
Pour les appareils de type à commande numérique:
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'étoiles est le suivant:
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1µA
Puissance - maximum:
280mW
Emballage / boîtier:
3-XDFN Plateau exposé
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
100 @ 10 mA, 5 V
Numéro du produit de base:
Le PDTA123
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias PNP 3DFN
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 100 mA 180 MHz 280 mW Monture de surface DFN1010D-3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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