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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'établissement.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
200 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-SOT323
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Infineon Technologies
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance - maximum:
250mW
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
70 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
BCR158
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias PNP 250 MW SOT323-3
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Monture de surface PG-SOT323

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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