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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
400 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - transition:
35 MH
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
100 mV @ 3 mA, 30 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
20 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
UMT3F
Résistance - base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
Pour les appareils à commande numérique:
Puissance - maximum:
200 mW
Emballage / boîtier:
SC-85
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
820 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base:
DTC943
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans-Prébias NPN 20V 0.2W UMT3F
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 20 V 400 mA 35 MH 200 mW Monture de surface UMT3F

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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