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RN2105ACT ((TPL3)) Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
80 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
150 mV @ 250 μA, 5 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
CST3
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
100 mW
Emballage / boîtier:
SC-101, SOT-883
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
80 @ 10 mA, 5 V
Numéro du produit de base:
RN2105
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias PNP 50V 0,08A CST3 Pour les appareils électroniques
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Montage de surface pré-biasé 50 V 80 mA 100 mW CST3

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