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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
200 mA
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
260 mégahertz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
30V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
VMT3
Résistance - base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Résistance - base d'émetteur (R2):
4,7 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
150 mW
Emballage / boîtier:
SOT-723
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
115 @ 100 mA, 2 V
Numéro du produit de base:
DTB743
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le projet de projet est réalisé par la société PNP.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 30 V 200 mA 260 MHz 150 mW Monture de surface VMT3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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