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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
À travers le trou
Fréquence - transition:
200 MHz
Le paquet:
Bande et boîte (TB)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 1mA, 10mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
40 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Résistance - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
un demi
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance - maximum:
300mW
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le numéro de série FJN431
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias PNP 300 MW à 92 à 32
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 40 V 100 mA 200 MHz 300 mW à travers le trou TO-92-3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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