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RN1114MFV, L3F
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RN1114MFV, L3F

RN1114MFV, L3F

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
VESM
Résistance - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
150 mW
Emballage / boîtier:
SOT-723
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base:
RN1114
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de régulation de la fréquence de l'électricité doit être conforme à la norme ISO/IEC 1701
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - VESM de montage de surface pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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