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RN1415 ((TE85L,F)
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RN1415 ((TE85L,F)

RN1415 ((TE85L,F)

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
S-mini
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
200 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base:
RN1415
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface S-Mini

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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