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DTB713ZETL
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DTB713ZETL

DTB713ZETL

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
200 mA
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
260 mégahertz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
30V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
EMT3
Résistance - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
150 mW
Emballage / boîtier:
SC-75, SOT-416
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
140 @ 100 mA, 2 V
Numéro du produit de base:
DTB713
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias PNP 150 MW EMT3
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 30 V 200 mA 260 MHz 150 mW Monture de surface EMT3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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