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PBRN113ZT,215
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PBRN113ZT,215

PBRN113ZT,215

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
600 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
1.15V @ 8mA, 800mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
40 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-236AB
Résistance - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
250mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
500 @ 300mA, 5V
Numéro du produit de base:
PBRN113
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias NPN 250 MW à 236 AB
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Monture de surface pré-biasée 40 V 600 mA 250 mW TO-236AB

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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