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DTC124XET1
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DTC124XET1

DTC124XET1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
250mV @ 1mA, 10mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SC-75, SOT-416
Résistance - base (R1):
22 kOhms
Mfr:
un demi
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
200 mW
Emballage / boîtier:
SC-75, SOT-416
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Numéro du produit de base:
DTC124
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias NPN 200 MW SC75
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 200 mW Monture de surface SC-75, SOT-416

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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