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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
250 mV @ 5 mA, 10 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SC-59
Résistance - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
un demi
Résistance - base d'émetteur (R2):
kOhms 1
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
500nA
Puissance - maximum:
230 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
3 @ 5mA, 10V
Numéro du produit de base:
Les États membres doivent:
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans Prebias NPN 230 MW SC59
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 230 mW Monture de surface SC-59

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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