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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
H-37265-2, sous réserve de l'utilisation de la méthode suivante
Tension - essai:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Fréquence:
10,96 GHz
Gain:
17.5 dB
Emballage / boîtier:
2-Plaquette, à nageoires de nageoires, à flancs
Actuel - essai:
450 mA
Puissance de sortie:
11W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
10µA
Numéro du produit de base:
Le nombre d'équipements utilisés
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de mesure de l'énergie est basé sur les données de l'appareil.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 450 mA 1,96 GHz 17,5 dB 11W H-37265-2

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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