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ARRIÈRE18H357-24SR6
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ARRIÈRE18H357-24SR6

ARRIÈRE18H357-24SR6

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Configuration:
Double
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de traitement de l'air
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
10,81 GHz
Gain:
170,3 dB
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de traitement de l'air
Actuel - essai:
800 mA
Puissance de sortie:
63W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
AFT18
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RFI Mosfet 28 V 800 mA 1,81 GHz 17,3 dB 63W NI-1230-4LS2L

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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