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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
Pour les appareils électroniques
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-780S
Tension - essai:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
1.4GHz
Gain:
18dB
Emballage / boîtier:
NI-780S
Actuel - essai:
150 mA
Puissance de sortie:
330W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Le numéro de série
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de détection de la pollution par les radiations est utilisé.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 50 V 150 mA 1,4 GHz 18 dB 330W NI-780S

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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