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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
Pour les appareils électroniques
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-780S
Tension - essai:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
10,03 GHz
Gain:
200,3 dB
Emballage / boîtier:
NI-780S
Actuel - essai:
100 mA
Puissance de sortie:
275W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
REMF1
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 50 V 100 mA 1,03 GHz 20,3 dB 275W NI-780S

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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