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Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme aux exigences de la présente directive.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
H-36260-2
Tension - essai:
30V
Mfr:
Infineon Technologies
Fréquence:
10,99 GHz
Gain:
150,9 dB
Emballage / boîtier:
H-36260-2
Actuel - essai:
1,8 A
Puissance de sortie:
50W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
10µA
Numéro du produit de base:
Les États membres
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
FET RF 65V 1,99 GHz H-36260-2
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 30 V 1,8 A 1,99 GHz 15,9 dB 50 W H-36260-2

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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